[新聞]超越摩爾時代即將來臨？0.2 奈米將在 2040
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作者: pl132 (pl132)
標題: [新聞]超越摩爾時代即將來臨？0.2 奈米將在 2040
時間: Sun Dec 28 23:37:29 2025
超越摩爾時代即將來臨？0.2 奈米將在 2040 年出現
根據韓國半導體工程師協會發表的（半導體技術路線圖 2026），全球半導體產業正規劃在未來 15 年內，將先進邏輯製程
從現行的 2 奈米節點，逐步推進至 2040 年的 0.2 奈米，正式進入埃米（Å）世代。隨
著傳統線寬微縮逐漸逼近物理極限，未來製程演進將不再僅仰賴微影技術，而是轉向結構
、材料與系統層級的全面革新。
2040 後將迎來埃米世代，EUV 可能迎來瓶頸
從時間軸來看，路線圖預期 2025 年左右進入 2 奈米世代，並於 2031 年前後推進至 1
奈米級；到了 2040 年，邏輯電路線寬將進一步縮小至 0.2 奈米。儘管 0.75NA EUV 可
在 2030 年前後帶來更細線寬，但基於微影的物理微縮將逐步趨於飽和，製程競爭的重心
勢必轉向晶片架構與整體系統設計。
電晶體與製程朝向立體化
為延續摩爾定律，邏輯元件將由 FinFET 轉向 GAA（Gate-All-Around），並進一步演進
至 CFET（Complementary FET） 等三維電晶體結構，透過將 PMOS 與 NMOS 垂直堆疊，
突破平面密度限制。配合 Monolithic 3D（單晶 3D） 製程，以及由 DTCO 邁向 STCO（
系統－製程共同最佳化） 的設計思維，未來效能提升將來自整體架構重整，而非單一製
程節點的微縮。
記憶體同步進化，異質整合與高層數 DRAM 成關鍵
除了邏輯製程，記憶體技術的演進節奏與 0.2 奈米邏輯製程高度同步。在 DRAM 領域，
傳統 BCAT 架構預期將在 7～8 奈米遭遇微縮極限，未來將轉向垂直通道電晶體、堆疊式
DRAM、4F2 單元，以及透過 Hybrid Bonding 將 CMOS 電路直接與記憶體陣列結合的
CBA（CMOS Bonded Array） 架構，延續密度與效能提升。
在 AI 應用推動下，高頻寬記憶體（HBM） 的重要性進一步放大。路線圖指出，HBM 將透
過更高層數堆疊、混合鍵合與散熱設計，HBM 預測 2031 年將有 20 層、8 TB/s，並在
2040 年達到 30 層以上、128 TB/s 的頻寬水準。。
至於 NAND Flash，則走向「以層數換密度」的發展路徑，預期自 321 層，推進至 2031
年約 1,000 層，並在 2040 年挑戰 2,000 層。
進入超越摩爾定律時代（More than Moore）
半導體產業正藉由邏輯與記憶體的 3D 化、Hybrid Bonding 及系統級架構重整，提升單
位面積整合密度並降低互連延遲，以在不依賴線寬微縮的情況下，滿足未來 AI 或其他產
業對於高速、低功耗的需求。
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