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[開箱] T-CREATE CLASSIC PCIe 4.0 DL 1TB測試

看板: PC_Shopping

作者: amy79968 (neverdie)

標題: [開箱] T-CREATE CLASSIC PCIe 4.0 DL 1TB測試

時間: Fri Mar 3 21:52:10 2023


前言

TEAM-十銓在推出具有灰色散熱片的T-CREATE CLASSIC PCIe 4.0 SSD後,這次在相同的開創者系列,推出了有專利石墨烯散熱的T-CREATE CLASSIC DL,消光黑的外表跟上次散熱片一樣高質感,不過實際看起來是一片金屬貼紙,查了一下其他媒體測試,發現是沒有DRAM快取的設計,也因為這樣做到單面顆粒設計,來看看這次的開創者系列在特別調教下,能帶來什麼樣的性能表現。


產品規格


●PCIe Gen4*4,NVME1.4

●1TB/2TB

●石墨烯專利散熱

●連續讀取最高5000MB/s,寫入最高4500MB/s

●隨機讀取最高525K IOPS,寫入最高550K IOPS

●標示TBW: 600TBW

●5年保固


T-CREATE 開創者 PCIe Gen4.0x4 M.2 SSD本體與包裝


▼包裝標示產品型號、外型、容量與特色

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▼背面表示了硬體規格,這次型號、序號都是外盒摟空標示在SSD本體的,右下角標示著MIT台灣製造

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▼標示最高讀取高達5000MB/s/寫入4500MB/s,多國語言的特點介紹,主要有石墨烯散熱及訂製韌體

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▼打開可以直接看到本體,包裝內很簡潔只有本體

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▼SSD本體近拍,盒子內還有張T-CREATE的貼紙

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▼背面就是剛才盒子摟空的型號、序號、容量等資訊

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▼從側面看可以看到,1T型號使用單面顆粒設計,不過看起來是四顆粒無DRAM快取的設計,為了不破壞石墨烯散熱就不拆卸,根據查詢到的資料是群聯PS5021-E21-48主控

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T-CREATE CLASSIC開創者 PCIe Gen4.0x4 M.2 SSD上機效能表現


測試平台

CPU: AMD Ryzen7 5800X

Cooler: 利民PA120

MB: ASUS ROG B550-F

RAM: 美光 Ballistix DDR4 3600 16G*2

System Storage: Samsung 970 EVO Plus 1TB

GPU: Gigabyte RTX2070 GAMING 8G

PSU: EVGA 550 GD

OS: Windows 10 Pro 21H2

驅動: Windows內建

SSD散熱: 石墨烯散熱


▼本次測試硬體

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▼使用前幾天版友提到的nvme-hmb軟體,確認是有HMB調度RAM當快取的

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▼ASSSD分別測試檔案大小3G與10G,循序讀取4100MB/s、寫入4312MB/s,可以看到4K的64 Thrd IOPS讀寫最大來到435K/839K,總分共獲得7298

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▼Anvil Benchmark測試8G的檔案大小,分別使用不可壓縮檔案、46%壓縮(應用程式)、8%壓縮(資料庫),效能最高的是46%壓縮的22,218分,不過各個分數差異不大,效能表現穩定

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▼ATTO Disk Benchmark最大讀取速度接近6.86GB/s,最大寫入速度可達4.59GB/s,在檔案大小64KB之後速度開始穩定

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▼TxBENCH QD32循序讀取4420MB/s、寫入5043MB/s

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▼Crystal Disk Mark分別測試預設跟特別給NVME SSD的項目,最大效能在為NVME優化的測試項目,來到讀5041MB/寫4908MB,在這個項目4KQ32T16的效能最高達到讀3334.51MB/寫4135.55MB,換算IOPS也來到853K/1058K,比原廠給的數據高了不少,可能是HMB快取的作用

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▼AJA Video System 測試,讀取4590MB/s 、寫入3914MB/s

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▼HD Tune讀取效能測試2713.3MB/s,最大值為2732.3MB/s,最小值為一開始波動的2571MB/s

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▼HD Tune寫入效能測試2885.8MB/s,最大值為2943.9MB/s,最小值為2253.4MB/s

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▼使用原廠的石墨烯貼片最高溫為連續寫入測試的69度,對應日常使用沒什麼問題

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實際檔案寫入測試


▼這邊使用一個611G的壓縮檔測試

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▼初始速度不錯達到1.65G/s,寫入期間波動也算平順,只有中間一次抖動,寫入到SLC快取用盡為508G,照容量看快取是用成MLC模式?

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https://i.imgur.com/netUUHR.png.jpg https://i.imgur.com/netUUHR.png.jpg



▼之後保持100MB/s~200MB/s,直到整個檔案寫入結束

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結語


從上次測試T-CREATE CLASSIC就對這系列印象不錯,除了高質感的外觀設計,還有特別調教的韌體,提供創作及重負載使用者需求的穩定性能表現。在這次的T-CREATE CLASSIC DL,就算架構上少了DRAM快取也帶來不相上下,甚至更強勁的效能,在數個測試上獲得比DRAM快取版本更佳性能。

大檔的寫入表現上,雖然超出快取的速度不快,但SLC快取內的速度表現優異,且快取的容量超過500GB,足夠支撐大部分應用需求,超出快取前寫入速度也很平穩。

除了提供了優異的性能,T-CREATE CLASSIC DL在Gen3及入門級Gen4的價位帶中也是能輕鬆入手的最佳選擇。



重點懶人包


●連續讀寫最高5037MB/4841MB

●4K讀寫IOPS最高853K/1058K

●快取在寫入超過508G後,才出現降速維持在100MB~200MB/s的寫入速度

●在連續寫入後,使用原廠附的石墨烯貼片最高溫度也只有69度,可為創作者帶來穩定的體驗

●石墨烯貼片厚度僅0.3mm,直接加裝主板上附的散熱片也沒問題


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gcobc12632 : 原來DL=DramLess 03/03 22:10
baby850811 : 有標總比沒標好 一堆換料不改名XD 03/03 22:32
jasn4560 : 寫入維持在1.6 有500G其實滿猛的 03/03 22:47
jasn4560 : 一般使用根本用不完了 03/03 22:47
StarHero : 石墨烯散熱片有貼合芯片給推 03/03 23:44
amy79968 : 那個寫入快取量真的滿猛的 03/04 01:09
smallreader : 好評 03/04 09:23
smallreader : 4K隨讀多次測都在70幾 無敵的吧 03/04 09:26
smallreader : 複習了隨機讀寫百盤天梯 原來80(十進制M)算是中上 03/04 09:36